Publication:
Fabricación y caracterización de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.

Simple item page
dc.contributor.authorAriza Calderón, Hernando
dc.contributor.corporatenameUniversidad del Quindío (Armenia, Colombia)spa
dc.contributor.researchgroupInstituto Interdisciplinario de las Ciencias
dc.coverage.projectdates2008-2011spa
dc.coverage.spatialArmenia (Quindío, Colombia)
dc.date.accessioned2020-03-04T00:26:40Z
dc.date.accessioned2020-12-17T22:08:00Z
dc.date.available2020-03-04T00:26:40Z
dc.date.available2020-12-17T22:08:00Z
dc.date.issued2011-07-27
dc.description.abstractCon el presente proyecto se propone realizar el estudio del proceso de fabricación de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb, mediante la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Para conseguir este objetivo se requiere de una fase previa en donde se determinen los parámetros óptimos de fabricación de cada una de las capas, es decir, del GaSb y del GaInAsSb sobre GaSb, para finalmente definir los parámetros para la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se caracterizarán las películas por las técnicas de difracción de rayos X, para determinar la calidad epitaxial y cristalina; la calidad de la superficie se analizará mediante las técnicas de AFM y perfilometría; y el comportamiento eléctrico se estudiará por medio de curvas Corriente-Voltaje (I-V), Y Capacitancia-Voltaje (C-V). También se utilizarán las técnicas micro-Raman, FTIR y XPS para la caracterización complementaria de las diferentes capas de la heteroestructura. Con este estudio se propone hacer un aporte importante en el proceso de la fabricación de dispositivos, el cual ha sido uno de los objetivos propuestos por el grupo de Optoelectrónica como parte del Centro de Excelencia en Nuevos Materiales - CENM. Estas heteroestructuras tienen un amplio potencial de aplicación en celdas termofotovoltaicas y detectores en el rango del infrarrojo, utilizados no sólo en comunicación óptica si no también en la detección de contaminación ambiental.spa
dc.format.extent19 páginas.spa
dc.identifier.instnameColcienciasspa
dc.identifier.reponameRepositorio Colcienciasspa
dc.identifier.repourlhttp://colciencias.metabiblioteca.com.cospa
dc.identifier.urihttps://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/37978
dc.language.isospaspa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.rights.accessrightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2spa
dc.rights.creativecommonshttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/spa
dc.subject.proposalEpitaxia en Fase Líquidaspa
dc.subject.proposalHeteroestructurasspa
dc.subject.proposalMicro-Ramanspa
dc.subject.proposalRayos Xspa
dc.subject.proposalSemiconductoresspa
dc.titleFabricación y caracterización de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.spa
dc.typeInforme de investigaciónspa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_18wsspa
dc.type.contentTextspa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/reportspa
dc.type.redcolhttps://purl.org/redcol/resource_type/IFIspa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/submittedVersionspa
dc.type.versionhttp://purl.org/coar/version/c_71e4c1898caa6e32spa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/submittedVersionspa
dcterms.audienceEstudiantes, Profesores, Comunidad científica colombiana, etc.spa
dspace.entity.typePublication
oaire.awardnumber111345221293spa
oaire.funderidentifier.colciencias452-2008
oaire.fundernameDepartamento Administrativo de Ciencia, Tecnología e Innovación [CO] Colcienciasspa
oaire.fundingstreamPrograma Nacional en Ciencias Básicasspa
oaire.objetivesFabricar la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb por la técnica de epitaxia en fase líquida y caracterizar óptica y estructuralmente las diferentes capas de dicha heteroestructura Objetivos Específicos 1. Fabricar la película GaInAsSb sobre sustratos comerciales de GaSb por la técnica de epitaxia en fase líquida (EFL). 2. Fabricar, por la misma técnica (EFL), sobre la película GaInAsSb una capa de GaSb para conformar la heteroestructura. 3. Estudiar el comportamiento eléctrico de las diferentes capas de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. 4. Caracterizar por micro-Raman, FTIR, difracción de rayos X, AFM y XPS las diferentes capas de la heteroestructura.spa

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
111345221293.pdf
Size:
5.52 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Informe técnico y financiero
Download
License bundle
Now showing 1 - 2 of 2
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
14.45 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
0 B
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Informes Finales