Publication:
Laser-dressing and magnetic-field effects on shallow-donor impurity states in semiconductor GaAs–Ga1−xAlxAs cylindrical quantum-well wires

col.comunidadvinculadaComunidad científica colombianaes_CO
col.contrato0284-2008es_CO
col.programa.colcienciasPrograma nacional de ciencias básicases_CO
col.tipo.espArtículos de investigaciónes_CO
dc.audienceAdministradores de ciencia y tecnologíaes_CO
dc.audienceInvestigadoreses_CO
dc.coverage.spatialColombiaes_CO
dc.creatorLópez, F. E.
dc.creatorReyes Gómez, E.
dc.creatorPorras Montenegro, Nelson
dc.creatorBrandi, H. S.
dc.creatorOliveira, L. E.
dc.creator.corporativoUniversidad del Valle, Univallees_CO
dc.creator.mailnelmonte@univalle.edu.coes_CO
dc.date.accessioned2018-08-02T22:35:14Z
dc.date.available2018-08-02T22:35:14Z
dc.date.embargoEndinfo:eu-repo/date/embargoEnd/2024-01-31es_CO
dc.date.issued2010-01
dc.description.abstractThe influence of an intense laser field on shallow-donor states in cylindrical GaAs–Ga1−xAlxAs quantum-well wires under an external magnetic field applied along the wire axis is theoretically studied. Numerical calculations are performed in the framework of the effective-mass approximation, and the impurity energies corresponding to the ground state and 2p ± excited states are obtained via a variational procedure. The laser-field effects on the shallow-donor states are considered within the extended dressed-atom approach, which allows one to treat the problem 'impurity + heterostructure + laser field + magnetic field' as a renormalized 'impurity + heterostructure + magnetic field' problem, in which the laser effects are taken into account through a renormalization of both the conduction-band effective mass and fundamental semiconductor gap.es_CO
dc.description.isprojectnoes_CO
dc.description.projectid1106-452-21296es_CO
dc.description.projectnameControl cuántico de las propiedades electrónicas y de espín en nanoestructuras inorgánicas, orgánicas y biológicases_CO
dc.description.sponsorshipDepartamento Administrativo de Ciencia, Tecnología e Innovación [CO] Colcienciases_CO
dc.formatpdfes_CO
dc.format.extent8 páginases_CO
dc.identifier.doi10.1088/0953-8984/22/4/045303
dc.identifier.issn0953-8984
dc.identifier.issn1361-648X
dc.identifier.urihttps://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/18438
dc.language.isoenges_CO
dc.relation.ispartofControl cuántico de las propiedades electrónicas y de espín en nanoestructuras inorgánicas, orgánicas y biológicas. La publicación completa está disponible en : <a href="http://repositorio.colciencias.gov.co:80/handle/11146/18424" target="blank">http://repositorio.colciencias.gov.co:80/handle/11146/18424</a>
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccesses_CO
dc.sourceJournal of Physics: Condensed Matter; Vol. 22, Num. 4; 2010 Enees_CO
dc.source.bibliographicCitationContiene 9 referencias bibliográficas. Véase el documento adjuntoes_CO
dc.subject.spinesElectrónica cuántica
dc.subject.spinesCampos magnéticos
dc.subject.spinesCampos electromagnéticos
dc.subject.spinesEnergía mecánica
dc.subject.spinesDispositivos semiconductores
dc.subject.spinesDiodos semiconductores
dc.titleLaser-dressing and magnetic-field effects on shallow-donor impurity states in semiconductor GaAs–Ga1−xAlxAs cylindrical quantum-well wireses_CO
dc.typeArtículo científicoes_CO
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/articlees_CO
dc.type.hasversioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_CO
dspace.entity.typePublication

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