Publication:
Reversible electron pumping and negative differential resistance in two-step barrier diode under strong terahertz ac field

col.comunidadvinculadaComunidad científica colombianaes_CO
col.contrato0284-2008es_CO
col.date.proyecto2011-06
col.programa.colcienciasPrograma nacional de ciencias básicases_CO
col.tipo.espArtículos de investigaciónes_CO
dc.audienceAdministradores de ciencia y tecnologíaes_CO
dc.audienceInvestigadoreses_CO
dc.creatorMurillo, G.
dc.creatorSchulz, P. A.
dc.creatorArce Clavijo, Julio César
dc.creator.corporativoUniversidad del Valle, Univallees_CO
dc.creator.mailjularce@gmail.comes_CO
dc.date.accessioned2018-08-06T17:51:21Z
dc.date.available2018-08-06T17:51:21Z
dc.date.embargoEndinfo:eu-repo/date/embargoEnd/2024-01-31es_CO
dc.date.issued2011-03
dc.description.abstractA computational study, employing a Floquet-transfer-matrix approach, of the current in a model two-step barrier diode under intense ac fields in the terahertz range is reported. It is demonstrated that the field pumps a net tunnel current through the structure, which can exhibit a negative differential resistance and whose direction can be controlled by the ac-bias amplitude. These behaviors are seen to originate from the inelastic scattering of incoming electrons by absorption or emission of field quanta from a shape resonance present in the field-free structure.es_CO
dc.description.isprojectnoes_CO
dc.description.projectid1106-452-21296es_CO
dc.description.projectnameControl cuántico de las propiedades electrónicas y de espín en nanoestructuras inorgánicas, orgánicas y biológicases_CO
dc.description.sponsorshipDepartamento Administrativo de Ciencia, Tecnología e Innovación [CO] Colcienciases_CO
dc.formatpdfes_CO
dc.format.extent6 páginases_CO
dc.identifier.doi10.1063/1.3562309
dc.identifier.urihttps://repositorio.minciencias.gov.co/handle/20.500.14143/21670
dc.language.isoenges_CO
dc.relation.ispartofControl cuántico de las propiedades electrónicas y de espín en nanoestructuras inorgánicas, orgánicas y biológicas. La publicación completa está disponible en : <a href="http://repositorio.colciencias.gov.co:80/handle/11146/18424" target="blank">http://repositorio.colciencias.gov.co:80/handle/11146/18424</a>
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccesses_CO
dc.sourceApplied Physics Letters; Vol. 98, Issue 10 pp. 102-108es_CO
dc.source.bibliographicCitationContiene 17 referencias bibliográficas. Véase el documento adjuntoes_CO
dc.subject.spinesTeoría moleculares_CO
dc.subject.spinesConductores eléctricoses_CO
dc.subject.spinesTeoría de la informaciónes_CO
dc.subject.spinesAnálisis de sistemases_CO
dc.subject.spinesModelos matemáticoses_CO
dc.subject.spinesElectrones -- Partículases_CO
dc.titleReversible electron pumping and negative differential resistance in two-step barrier diode under strong terahertz ac fieldes_CO
dc.typeArtículo científicoes_CO
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/articlees_CO
dc.type.hasversioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_CO
dspace.entity.typePublication

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