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Caracterización óptica y fototérmica de películas delgadas semiconductoras fabricadas por epitaxia en fase liquida.

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Date

2002-12-18

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Ariza Calderón, Hernando

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En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).

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