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Simulación computacional del crecimiento de metales de transacción 3d sobre las superficies polares y no polares de compuestos semiconductores.

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dc.contributor.authorGonzález Hernández, Rafael Julián
dc.contributor.corporatenameFundación Universidad del Norte (Barranquilla, Colombia)spa
dc.contributor.researchgroupCOL0025389 - GRUPO DE INVESTIGACIÓN EN FÍSICA APLICADA
dc.coverage.projectdates2015-2016spa
dc.date.accessioned2020-02-14T16:11:17Z
dc.date.accessioned2020-12-18T01:24:01Z
dc.date.available2020-02-14T16:11:17Z
dc.date.available2020-12-18T01:24:01Z
dc.date.issued2016-10-28
dc.description.abstractLa spin-electrónica, también conocida como espintrónica es un campo emergente de la física de materiales que combina elementos de magnetismo en pequeña escala con dispositivos electrónicos convencionales basados en semiconductores. Entre la gran variedad de sistemas y materiales que están siendo investigados en este campo, se destacan en particular, los materiales semiconductores dopados con bajas concentraciones de metales de transición o tierras raras, conocidos como semiconductores magnéticos diluidos. Dentro de este grupo, los nitruros semiconductores, como el nitruro de galio (GaN) y nitruro de aluminio (AlN), tienen la ventaja de producir dispositivos que funcionan a temperatura ambiente y en el rango espectral azul/ultravioleta. Este proyecto se enfoca en el estudio del crecimiento de semiconductores magnéticos diluidos, en particular, de metales de transición (MT) 3d sobre las superficies polares y no polares de compuestos semiconductores GaN y AlN. El estudio se realizará mediante cálculos ab-initio (cálculos que se realizan aplicando únicamente las ecuaciones de la mecánica cuántica) de los procesos de adsorción e incorporación superficial de átomos de metales de transición 3d como el Sc, V, Ti, Mn y Cu; prestando particular atención a la relación entre las propiedades magnéticas y las condiciones de crecimiento.spa
dc.format.extent23 páginas.spa
dc.identifier.instnameColcienciasspa
dc.identifier.reponameRepositorio Colcienciasspa
dc.identifier.repourlhttp://colciencias.metabiblioteca.com.cospa
dc.identifier.urihttps://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/40055
dc.language.isospaspa
dc.relation.ispartofseriesInforme;
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.rights.accessrightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2spa
dc.rights.creativecommonshttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/spa
dc.subject.proposalFísica de superficiesspa
dc.subject.proposalFísica de la Materia Condensadaspa
dc.subject.proposalPropiedades magnéticas de sólidosspa
dc.subject.proposalSemiconductores magnéticos diluidosspa
dc.subject.proposalInmutación computacional de materialesspa
dc.titleSimulación computacional del crecimiento de metales de transacción 3d sobre las superficies polares y no polares de compuestos semiconductores.spa
dc.typeInforme de investigaciónspa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_18wsspa
dc.type.contentTextspa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/reportspa
dc.type.redcolhttps://purl.org/redcol/resource_type/PIDspa
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dc.type.versionhttp://purl.org/coar/version/c_71e4c1898caa6e32spa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/submittedVersionspa
dcterms.audienceEstudiantes, Profesores, Comunidad científica colombiana, etc.spa
dspace.entity.typePublication
oaire.awardnumber121565841854spa
oaire.fundernameDepartamento Administrativo de Ciencia, Tecnología e Innovación [CO] Colcienciasspa
oaire.fundingstreamPrograma Nacional en Ciencias Básicasspa
oaire.objetivesObtener las propiedades estructurales (posiciones y distancias interatómicas, ángulos de enlace, energías de cohesión), electrónicas (estructura de bandas, densidad de estados parcial y total) y magnéticas (polarización magnética parcial y total), y su relación con las condiciones de crecimiento de átomos de metales de transición 3d como Sc, V, Ti, Mn, Cu, sobre las superficies polares y nopolares del nitruro de aluminio (AlN) y nitruro de galio (GaN), en particular, las superficies (0001)AlN, (10-10)AlN, (11-20)AlN, (10-10)GaN y (11-20)GaN.spa

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