Publication: Efecto de presiones externas sobre las propiedades opticasdeheteroestructuras semiconductoras de Ga-As.
| dc.contributor.author | Duque Echeverry, Carlos Alberto | |
| dc.contributor.corporatename | Universidad de Antioquia (Medellín, Colombia) | spa |
| dc.contributor.researchgroup | Estado Sólido | |
| dc.coverage.projectdates | 2001-2005 | spa |
| dc.date.accessioned | 2020-03-13T02:54:13Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-12-17T22:21:51Z | |
| dc.date.available | 2020-03-13T02:54:13Z | |
| dc.date.available | 2020-12-17T22:21:51Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.description.abstract | Un esfuerzo uniaxial sobre una heteroestructura semiconductora modifica la estructura de bandas de tal manera que se da origen a cambios sustanciales en sus propiedades ópticas. Algunos avances se han reportado en la literatura en relación con los efectos de presiones externas en pozos cuánticos de GaAs. Sin embargo, no existen reportes sobre dichos efectos en hilos y puntos cuánticos de GaAs. El presente proyecto de investigación pretende abordar este tema y con ello hacer una contribución, de componente teórico, al desarrollo actual y futuro de la nanotecnología. Objetivos: Realizar un estudio detallado de los efectos de presiones externas sobre las propiedades ópticas (absorción y fotoluminiscencia) asociadas con impurezas y sistemas excitónicos confinados en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad. Ø Calcular los espectros de absorción y fotoluminiscencia asociados con impurezas donadoras y aceptoras en pozos cuánticos de GaAs-(Ga,Al)As bajo el efecto de una presión hidrostática externa. Ø Calcular la energía de enlace y la densidad de estados para impurezas donadoras y aceptoras confinadas en hilos y puntos cuánticos de GaAs-(Ga,Al)As bajo el efecto de presión hidrostática externa. Ø Calcular el espectro de absorción asociado con impurezas donadoras en puntos e hilos cuánticos de GaAs-(Ga,Al)As bajo el efecto de presión hidrostática externa. Ø Calcular el espectro de fotoluminiscencia asociado con impurezas aceptoras en puntos e hilos cuánticos de GaAs-(Ga,Al)As bajo el efecto de presión hidrostática externa. Ø Calcular la energía de enlace para sistemas excitónicos en hilos cuánticos de GaAs-(Ga,Al)As bajo el efecto de presión hidrostática externa. Metodología ,se hará de manera permanente una revisión bibliográfica sobre el tema de investigación. Ø Se hará el tratamiento analítico que se involucre en cada caso Ø Posterior al tratamiento analítico, se construirán los códigos fuente de cada una de las situaciones consideradas. Ø Con los resultados obtenidos se construirán tablas, curvas, figuras, etc., las cuales serán discutidas a la luz de los casos límite de cada uno de los problemas en consideración. Ø Con los datos obtenidos se hará la discusión y comparación con trabajos previos que se hayan reportado en la literatura. Ø Se escribirán los respectivos informes científicos a que den lugar las investigaciones. Resultados Directos: seis (6) publicaciones internacionales en revistas indexadas. Indirectos: Formación de un estudiante en el programa de Doctorado y fortalecimiento de nexos científicos con otros grupos en Colombia, Brasil y Chile. | spa |
| dc.format.extent | [150] páginas. | spa |
| dc.identifier.instname | Colciencias | spa |
| dc.identifier.reponame | Repositorio Colciencias | spa |
| dc.identifier.repourl | http://colciencias.metabiblioteca.com.co | spa |
| dc.identifier.uri | https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/38127 | |
| dc.language.iso | spa | spa |
| dc.relation.ispartofseries | Informe; | |
| dc.rights.accessrights | info:eu-repo/semantics/openAccess | spa |
| dc.rights.accessrights | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | spa |
| dc.rights.creativecommons | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | spa |
| dc.subject.proposal | Semiconductores | spa |
| dc.subject.proposal | Presión hidrostática | spa |
| dc.subject.proposal | Absorción | spa |
| dc.subject.proposal | Óptica | spa |
| dc.subject.proposal | Fotoluminiscencia | spa |
| dc.title | Efecto de presiones externas sobre las propiedades opticasdeheteroestructuras semiconductoras de Ga-As. | spa |
| dc.type | Informe de investigación | spa |
| dc.type.coar | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | spa |
| dc.type.content | Text | spa |
| dc.type.driver | info:eu-repo/semantics/report | spa |
| dc.type.redcol | https://purl.org/redcol/resource_type/PID | spa |
| dc.type.version | info:eu-repo/semantics/submittedVersion | spa |
| dc.type.version | http://purl.org/coar/version/c_71e4c1898caa6e32 | spa |
| dc.type.version | info:eu-repo/semantics/submittedVersion | spa |
| dcterms.audience | Estudiantes, Profesores, Comunidad científica colombiana, etc. | spa |
| dspace.entity.type | Publication | |
| oaire.awardnumber | 11150511502 | spa |
| oaire.funderidentifier.colciencias | 159-2001 | |
| oaire.fundername | Departamento Administrativo de Ciencia, Tecnología e Innovación [CO] Colciencias | spa |
| oaire.fundingstream | Programa Nacional en Ciencias Básicas | spa |
| oaire.objetives | Realizar un estudio detallado de los efectos de presiones externas sobre las propiedades ópticas (absorción y fotoluminiscencia) asociadas con impurezas y sistemas excitónicos confinados en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad. | spa |