Estudio de la impurificación de capas epitaxiales de GaAs y AIGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia.

Ariza Calderón, Hernando2020-05-072020-12-172020-05-072020-12-172002-12-18https://colciencias.metadirectorio.org/handle/11146/38485En este proyecto se lograron fabricar películas delgadas semiconductoras de GaInAsSb a partir de soluciones con tres diferentes concentraciones de los elementos constituyentes In, Sb, GaAs y Ga por la técnica de epitaxia en fase líquida. (Apartes del texto).[150] páginas.spaEstudio de la impurificación de capas epitaxiales de GaAs y AIGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia.LibroColcienciasRepositorio Colcienciashttp://colciencias.metabiblioteca.com.coinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/Películas delgadasMorfologíaEpitaxiaPropiedades térmicas